画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDA16N50 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDA16N50
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDA16N50
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-3P-3, SC-65-3
- データシート
- FDA16N50.pdf
- 在庫あり: 5250
FDA16N50の技術仕様
onsemi - FDA16N50技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDA16N50仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | |
| シリーズ | UniFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 380mOhm @ 8.3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 205W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1945 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDA16 |
右側の三つのパーツはonsemi FDA16N50と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDA16N50 | FDA20N50F | FDA20N50-F109 | FDA15N65 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16.5A (Tc) | 22A (Tc) | 22A (Tc) | 16A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 59.5 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1945 pF @ 25 V | 3390 pF @ 25 V | 3120 pF @ 25 V | 3095 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 500 V | 650 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 380mOhm @ 8.3A, 10V | 260mOhm @ 11A, 10V | 230mOhm @ 11A, 10V | 440mOhm @ 8A, 10V |
| 基本製品番号 | FDA16 | FDA20N50 | FDA20N50 | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | UniFET™ | FRFET®, UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ |
| 電力消費（最大） | 205W (Tc) | 388W (Tc) | 280W (Tc) | 260W (Tc) |
FDA16N50 - onsemiのFDA16N50 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDA1254-8R0MP3Murata ElectronicsFDA1254-5R6MP3Murata ElectronicsFDA20N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 22A TO3PNFDA1254-1R0MP3Murata ElectronicsFDA20N50-F109onsemiMOSFET N-CH 500V 22A TO3PNFDA1254-H-2R2MP3Murata ElectronicsFDA15N65Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 650V 16A TO3PNFDA15N65onsemiMOSFET N-CH 650V 16A TO3PNFDA18N50 MOSFairchild (onsemi)FDA18N50Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDA18N50onsemiMOSFET N-CH 500V 19A TO3PNFDA16N50_F109Fairchild (onsemi)FDA1254-H-4R7MP3Murata ElectronicsFDA1254-1R2MP3Murata ElectronicsFDA16N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PNFDA16N50LDTUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFDA20N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 22A TO3PNFDA16N50LDTUonsemiMOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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