FDB082N15Aの技術仕様
onsemi - FDB082N15A技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDB082N15A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.2mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 294W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6040 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 84 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 117A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDB082 |
右側の三つのパーツはonsemi FDB082N15Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDB082N15A | FDB110N15A | FDB075N15A-F085 | FDB10AN06A0 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 84 nC @ 10 V | 61 nC @ 10 V | 95 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 117A (Tc) | 92A (Tc) | 110A (Tc) | 12A (Ta), 75A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 150 V | 150 V | 60 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | FDB082 | FDB110 | FDB075 | FDB10 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6040 pF @ 25 V | 4510 pF @ 75 V | 5595 pF @ 75 V | 1840 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 294W (Tc) | 234W (Tc) | 333W (Tc) | 135W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.2mOhm @ 75A, 10V | 11mOhm @ 92A, 10V | 7.5mOhm @ 80A, 10V | 10.5mOhm @ 75A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 6V, 10V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | PowerTrench® |
FDB082N15A - onsemiのFDB082N15A PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDB08N150Fairchild (onsemi)FDB110N15AonsemiMOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
FDB0901-M0DB300K6KATXGAFDB070AN06_F085Fairchild (onsemi)FDB075N15A-F085onsemiMOSFET N-CH 150V 110A D2PAKFDB10AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263ABFDB088N08onsemiMOSFET N-CH 75V 120A D2PAKFDB075N15A MOSFairchild (onsemi)FDB10AN06AOFairchild (onsemi)FDB070AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAKFDB070AN06A0 MOSFairchild (onsemi)FDB075N15AonsemiMOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
FDB075N15A-F085CAMI Semiconductor/onsemiFDB070AN06AOFairchild (onsemi)FDB082N15ATMFairchild (onsemi)FDB082N15A MOSFairchild (onsemi)FDB088N08Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDB075N15A_F085Fairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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