FDD6630Aの技術仕様
onsemi - FDD6630A技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDD6630A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 7.6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 28W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 462 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Ta) | |
| 基本製品番号 | FDD6630 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FDD6630Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDD6630A | FDD6635 | FDD6630A | FDD6606 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Ta) | 15A (Ta), 59A (Tc) | 21A (Ta) | 75A (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 462 pF @ 15 V | 1400 pF @ 20 V | 462 pF @ 15 V | 2400 pF @ 15 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 35 V | 30 V | 30 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7 nC @ 5 V | 36 nC @ 10 V | 7 nC @ 5 V | 31 nC @ 5 V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 7.6A, 10V | 10mOhm @ 15A, 10V | 35mOhm @ 7.6A, 10V | 6mOhm @ 17A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 28W (Ta) | 3.8W (Ta), 55W (Tc) | 28W (Ta) | 71W (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 基本製品番号 | FDD6630 | - | - | FDD660 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
FDD6630A - onsemiのFDD6630A PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDD6612A-NLFairchild (onsemi)FDD6635Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDD6630AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDD6612A MOSFairchild (onsemi)FDD6606onsemiMOSFET N-CH 30V 75A D-PAKFDD6606 MOSFairchild (onsemi)FDD6630A-NLFairchild (onsemi)FDD6630A MOSFairchild (onsemi)
FDD6635onsemiMOSFET N-CH 35V 15A/59A DPAKFDD6635 MOSFairchild (onsemi)FDD6612Fairchild (onsemi)FDD6612AonsemiMOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAKFDD6632onsemiMOSFET N-CH 30V 9A D-PAKFDD6530A MOSFairchild (onsemi)FDD6612AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FDD6606Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 75A DPAKFDD6635-NLFairchild (onsemi)FDD6632Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 9A DPAKあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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