FDMA86251の技術仕様
onsemi - FDMA86251技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDMA86251仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 175mOhm @ 2.4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.4W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 363 pF @ 75 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.8 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.4A (Ta) | |
| 基本製品番号 | FDMA86 |
右側の三つのパーツはonsemi FDMA86251と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMA86251 | FDMA8884 | FDMA86108LZ | FDMA7672 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 2.4W (Ta) | 1.9W (Ta) | 2.4W (Ta) | 2.4W (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 363 pF @ 75 V | 450 pF @ 15 V | 163 pF @ 50 V | 760 pF @ 15 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.4A (Ta) | 6.5A (Ta), 8A (Tc) | 2.2A (Ta) | 9A (Ta) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 30 V | 100 V | 30 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.8 nC @ 10 V | 7.5 nC @ 10 V | 3 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 175mOhm @ 2.4A, 10V | 23mOhm @ 6.5A, 10V | 243mOhm @ 2.2A, 10V | 21mOhm @ 9A, 10V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 基本製品番号 | FDMA86 | - | - | FDMA76 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
FDMA86251 - onsemiのFDMA86251 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDMA8878 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDMA8884Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFETFDMA86108LZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMA7672onsemiMOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFETFDMA8878onsemiMOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFETFDMA905/1481TFFDMA86265PonsemiMOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFETFDMA7672 MOSFairchild (onsemi)FDMA86151LonsemiMOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFETFDMA8051LonsemiMOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFETFDMA86108LZonsemiMOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFETFDMA8051LFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMA7670Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDMA86551LonsemiMOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFETFDMA86551LFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMA7670 MOSFairchild (onsemi)FDMA8884onsemiMOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFETFDMA905| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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