画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDMC6688P - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDMC6688P
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDMC6688P
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
- 詳細な説明
- パッケージ
- 8-PowerWDFN
- データシート
- FDMC6688P.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 4470
FDMC6688Pの技術仕様
onsemi - FDMC6688P技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDMC6688P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.5mOhm @ 14A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2.3W (Ta), 30W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7435 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 61 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta), 56A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDMC6688 |
右側の三つのパーツはonsemi FDMC6688Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMC6688P | FDMC6683PZ | FDMC6683PZ | FDMC6679AZ |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 電力消費（最大） | 2.3W (Ta), 30W (Tc) | 26W (Tc) | 26W (Tc) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 30 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.5mOhm @ 14A, 4.5V | - | - | 10mOhm @ 11.5A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | 8-MLP (3.3x3.3) | 8-MLP (3.3x3.3) | 8-MLP (3.3x3.3) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta), 56A (Tc) | 40A (Tc) | 40A (Tc) | 11.5A (Ta), 20A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 61 nC @ 4.5 V | 74 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V | 91 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | - | - | 8-PowerWDFN |
| Vgs（最大） | ±8V | ±12V | ±12V | ±25V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7435 pF @ 10 V | 7995 pF @ 10 V | 7995 pF @ 10 V | 3970 pF @ 15 V |
| 基本製品番号 | FDMC6688 | FDMC66 | FDMC66 | FDMC6679 |
FDMC6688P - onsemiのFDMC6688P PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDMC6890NZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDMC6683PZonsemiMOSFET P-CH 20V 40A 8MLPFDMC6683PZFairchild Semiconductor14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,FDMC6678BZFairchild (onsemi)FDMC6679AZonsemiMOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLPFDMC6683Fairchild Semiconductor14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL PFDMC6676BZ MOSFairchild (onsemi)FDMC6679AZ MOSAMI Semiconductor/onsemiFDMC7200SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8POWER33FDMC7200onsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8POWER33FDMC6676PZ MOSFairchild (onsemi)FDMC7200S MOSFairchild (onsemi)FDMC6696PonsemiFDMC6696 - P-CHANNEL POWERTRENCHFDMC7200Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMC7200SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDMC6890NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33FDMC6686PonsemiMOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFNFDMC7200 MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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