画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDME510PZT - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDME510PZT
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDME510PZT
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
- 詳細な説明
- パッケージ
- 6-PowerUFDFN
- データシート
- FDME510PZT.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 110720
FDME510PZTの技術仕様
onsemi - FDME510PZT技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDME510PZT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | MicroFet 1.6x1.6 Thin | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 37mOhm @ 6A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-PowerUFDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1490 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) | |
| 基本製品番号 | FDME510 |
右側の三つのパーツはonsemi FDME510PZTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDME510PZT | FDME430NT | FDME820NZT | FDME905PT |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 30 V | 20 V | 12 V |
| Vgs（最大） | ±8V | ±12V | ±12V | ±8V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | 9 nC @ 4.5 V | 8.5 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 4.5 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
| 基本製品番号 | FDME510 | FDME43 | FDME820 | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1490 pF @ 10 V | 760 pF @ 15 V | 865 pF @ 10 V | 2315 pF @ 6 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 37mOhm @ 6A, 4.5V | 40mOhm @ 6A, 4.5V | 18mOhm @ 9A, 4.5V | 22mOhm @ 8A, 4.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | MicroFet 1.6x1.6 Thin | MicroFet 1.6x1.6 Thin | MicroFet 1.6x1.6 Thin | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| パッケージ/ケース | 6-PowerUFDFN | 6-PowerUFDFN | 6-PowerUFDFN | 6-PowerUFDFN |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta) | 2.1W (Ta) | 2.1W (Ta) | 2.1W (Ta) |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) | 6A (Ta) | 9A (Ta) | 8A (Ta) |
FDME510PZT - onsemiのFDME510PZT PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDME430NTonsemiMOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6FDME820NZTonsemiMOSFET N-CH 20V 9A MICROFETFDME1034CZTonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFETFDME1023PZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDME820NZT MOSFairchild (onsemi)FDME1023PZTonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFETFDME1024NZTonsemiMOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFETFDME905PTFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDME410NZTonsemiMOSFET N-CH 20V 7A MICROFETFDME910PZT MOSFairchild (onsemi)FDME1034CZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDME910PZTonsemiMOSFET P-CH 20V 8A MICROFETFDME430NTFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 6A MICROFETFDME820NZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDME910PZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDME1034CZT MOSFairchild (onsemi)FDME905PTonsemiMOSFET P-CH 12V 8A MICROFETFDME510PZT MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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