画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDMS86252L - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDMS86252L
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDMS86252L
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
- 詳細な説明
- パッケージ
- 8-PowerTDFN
- データシート
- FDMS86252L.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 42139
FDMS86252Lの技術仕様
onsemi - FDMS86252L技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDMS86252L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 56mOhm @ 4.4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1335 pF @ 75 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.4A (Ta) | |
| 基本製品番号 | FDMS86252 |
右側の三つのパーツはonsemi FDMS86252Lと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMS86252L | FDMS86202 | FDMS86252 | FDMS86263P |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 基本製品番号 | FDMS86252 | FDMS86 | FDMS86 | FDMS86263 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 120 V | 150 V | 150 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 56mOhm @ 4.4A, 10V | 7.2mOhm @ 13.5A, 10V | 51mOhm @ 4.6A, 10V | 53mOhm @ 4.4A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | 2.7W (Ta), 156W (Tc) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±25V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1335 pF @ 75 V | 4250 pF @ 60 V | 905 pF @ 75 V | 3905 pF @ 75 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.4A (Ta) | 13.5A (Ta) | 4.6A (Ta), 16A (Tc) | 4.4A (Ta), 22A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21 nC @ 10 V | 64 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
FDMS86252L - onsemiのFDMS86252L PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDMS86255 MOSFairchild (onsemi)FDMS86252 MOSFairchild (onsemi)FDMS86202onsemiMOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56FDMS86252onsemiMOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFNFDMS86263PonsemiMOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFNFDMS8622Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDMS8625Fairchild (onsemi)FDMS86201onsemiMOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFNFDMS86320onsemiMOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFNFDMS86300onsemiMOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFNFDMS86255onsemiMOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56FDMS86252LFairchild SemiconductorFDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED GFDMS86255ET150onsemiMOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56FDMS86310onsemiMOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFNFDMS8622onsemiMOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFNFDMS86250onsemiMOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFNFDMS86300 MOSFairchild (onsemi)FDMS86300DConsemiMOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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