画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDP2710 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDP2710
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDP2710
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 19545
FDP2710の技術仕様
onsemi - FDP2710技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDP2710仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 42.5mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 260W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7280 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 101 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDP27 |
右側の三つのパーツはonsemi FDP2710と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDP2710 | FDP2D3N10C | FDP2D3N10C | FDP2614 |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | 100 V | 100 V | 200 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| 電力消費（最大） | 260W (Tc) | 214W (Tc) | 214W (Tc) | 260W (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 101 nC @ 10 V | 152 nC @ 10 V | 152 nC @ 10 V | 99 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | 222A (Tc) | 222A (Tc) | 62A (Tc) |
| 基本製品番号 | FDP27 | FDP2D3 | FDP2D3 | - |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7280 pF @ 25 V | 11180 pF @ 50 V | 11180 pF @ 50 V | 7230 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4V @ 700µA | 4V @ 700µA | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 42.5mOhm @ 25A, 10V | 2.3mOhm @ 100A, 10V | 2.3mOhm @ 100A, 10V | 27mOhm @ 31A, 10V |
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FDP3205 MOSFairchild (onsemi)FDP2D3N10ConsemiMOSFET N-CH 100V 222A TO220-3FDP2D3N10CFairchild SemiconductorN-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTREFDP2614Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FDP3205onsemiMOSFET N-CH 55V 100A TO220-3FDP3205Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 100A TO220-3FDP2572Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDP2670Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
FDP30N06VBsemiFDP2710Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FDP2572onsemiMOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3FDP2670onsemiMOSFET N-CH 200V 19A TO220-3FDP2570onsemiMOSFET N-CH 150V 22A TO220-3FDP2710 MOSFairchild (onsemi)FDP33N25onsemiMOSFET N-CH 250V 33A TO220-3FDP26N40onsemiMOSFET N-CH 400V 26A TO220-3FDP2710_F085Fairchild Semiconductor4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL ,FDP2614onsemiMOSFET N-CH 200V 62A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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