画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDR842P - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDR842P
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDR842P
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET P-CH 12V 11A SUPERSOT8
- 詳細な説明
- パッケージ
- 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
- データシート
- FDR842P.pdf
- 在庫あり: 4350
FDR842Pの技術仕様
onsemi - FDR842P技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDR842P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SuperSOT™-8 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 11A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5350 pF @ 6 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) | |
| 基本製品番号 | FDR84 |
右側の三つのパーツはonsemi FDR842Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDR842P | FDR838P | FDR836P | FDR858P |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| シリーズ | - | - | PowerTrench® | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 11A, 4.5V | 17mOhm @ 8A, 4.5V | 30mOhm @ 6.1A, 4.5V | 19mOhm @ 8A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | FDR84 | FDR83 | - | FDR85 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±8V | ±8V | ±8V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) | 8A (Ta) | 6.1A (Ta) | 8A (Ta) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SuperSOT™-8 | SuperSOT™-8 | SuperSOT™-8 | SuperSOT™-8 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | 900mW (Ta) | 1.8W (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5350 pF @ 6 V | 3300 pF @ 10 V | 2200 pF @ 25 V | 2010 pF @ 15 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 4.5 V | 45 nC @ 4.5 V | 44 nC @ 4.5 V | 30 nC @ 5 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | 20 V | 20 V | 30 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
FDR842P - onsemiのFDR842P PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDR838PonsemiMOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8FDR836PFairchild SemiconductorP-CHANNEL MOSFETFDR8321LFairchild (onsemi)FDR8508PonsemiMOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8FDR8521LFairchildFDR858PonsemiMOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
FDRW12S120JFUJIFDR838P_NLFairchild (onsemi)FDR840PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8FDR840PonsemiMOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8FDR8508P MOSFairchild (onsemi)FDR858P MOSFairchild (onsemi)
FDRW35S60LFujitsu Electronics America, Inc.FDR838P MOSFDSFDRC0001FDR840P MOSFairchild (onsemi)FDR8508PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFETFDR840P-NDFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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