NTB85N03の技術仕様
onsemi - NTB85N03技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTB85N03仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.8mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 80W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2150 pF @ 24 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 28 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 85A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NTB85 |
右側の三つのパーツはonsemi NTB85N03と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTB85N03 | NTB75N03RT4 | NTB90N02 | NTB90N02T4 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.8mOhm @ 40A, 10V | 8mOhm @ 20A, 10V | 5.8mOhm @ 90A, 10V | 5.8mOhm @ 90A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 85A (Tc) | 9.7A (Ta), 75A (Tc) | 90A (Ta) | 90A (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 4.5 V | 13.2 nC @ 10 V | 29 nC @ 4.5 V | 29 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D²PAK | D²PAK | D²PAK |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 基本製品番号 | NTB85 | NTB75 | NTB90 | NTB90 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 28 V | 25 V | 24 V | 24 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2150 pF @ 24 V | 1333 pF @ 20 V | 2120 pF @ 20 V | 2120 pF @ 20 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | 80W (Tc) | 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) | 85W (Tc) | 85W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
NTB85N03 - onsemiのNTB85N03 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTB75N03RT4onsemiMOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAKNTB90N02onsemiMOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
NTB85N03G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB90N02T4onsemiMOSFET N-CH 24V 90A D2PAKNTB75N06T4GonsemiMOSFET N-CH 60V 75A D2PAKNTB75N06LT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 75A D2PAKNTB75N06T4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB85N03GonsemiMOSFET N-CH 28V 85A D2PAKNTB75N06T4AMI Semiconductor/onsemiNTB75N06G 75N06GAMI Semiconductor/onsemiNTB75N03RT4GonsemiMOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAKNTB8H100GAMI Semiconductor/onsemiNTB85N03T4GonsemiMOSFET N-CH 28V 85A D2PAKNTB90N02GonsemiMOSFET N-CH 24V 90A D2PAKNTB75N03RT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB75N06GonsemiMOSFET N-CH 60V 75A D2PAKNTB88N02AMI Semiconductor/onsemiNTB85N03T4onsemiMOSFET N-CH 28V 85A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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