画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
NTLJS4149PTBG - onsemi
- メーカー 部品型番
- NTLJS4149PTBG
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-NTLJS4149PTBG
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
- 詳細な説明
- パッケージ
- 6-WDFN Exposed Pad
- データシート
- NTLJS4149P.pdf
- 在庫あり: 4300
NTLJS4149PTBGの技術仕様
onsemi - NTLJS4149PTBG技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTLJS4149PTBG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WDFN (2x2) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 62mOhm @ 4.5A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 700mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 960 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.7A (Ta) | |
| 基本製品番号 | NTLJS41 |
右側の三つのパーツはonsemi NTLJS4149PTBGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTLJS4149PTBG | NTLTS3107PR2G | NTLJS4D7N03HTAG | NTLJS4114NT1G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad | - | 6-PowerWDFN | 6-WDFN Exposed Pad |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | - | 14 nC @ 10 V | 13 nC @ 4.5 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | - | 2.1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| FETタイプ | P-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±12V | - | ±20V | ±12V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | - | 25 V | 30 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 62mOhm @ 4.5A, 4.5V | - | 4.1mOhm @ 10A, 10V | 35mOhm @ 2A, 4.5V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.7A (Ta) | - | 11.6A (Ta) | 3.6A (Ta) |
| シリーズ | - | - | - | µCool™ |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | - | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 700mW (Ta) | - | 860mW (Ta) | 700mW (Ta) |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | NTLJS41 | NTLTS31 | NTLJS4 | NTLJS4114 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 960 pF @ 15 V | - | 851 pF @ 15 V | 650 pF @ 15 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WDFN (2x2) | - | 6-PQFN (2x2) | 6-WDFN (2x2) |
| FET特長 | - | - | - | - |
NTLJS4149PTBG - onsemiのNTLJS4149PTBG PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTLTS3107PR2GonsemiMOSFET P-CHAN 8.3A 20V MICRO8NTLLD4901NFTWGonsemiMOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFNNTLJS4D7N03HTAGonsemiMOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFNNTLJS3113PAMI Semiconductor/onsemiNTLJS4114NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFNNTLJS3180PZTAGonsemiMOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFNNTLJS5D0N03CTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFNNTLJS3A18PZTAGAMI Semiconductor/onsemi
NTLTD7900ZR2GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRONTLJS2103PTBGonsemiMOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
NTLUD3A260PZTBGonsemiMOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFNNTLLD4901NFAMI Semiconductor/onsemiNTLJS3A18PZTWGonsemiMOSFET P-CH 20V 5A 6WDFNNTLJS3113PTAGonsemiMOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFNNTLUD3A260PZTAGonsemiMOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFNNTLJS3113PT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFNNTLJS3D9N03CTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 10.3A 6PQFNNTLTD7900ZR2onsemiMOSFET 2N-CH 20V 6A MICRO8| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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