NTMFS008N12MCT1Gの技術仕様
onsemi - NTMFS008N12MCT1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTMFS008N12MCT1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 200µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 36A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.7W (Ta), 102W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2705 pF @ 60 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 120 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta), 79A (Tc) |
右側の三つのパーツはonsemi NTMFS008N12MCT1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTMFS008N12MCT1G | NTMFS002P03P8ZT1G | NTMFS0D7N03CGT1G | NTMFS011N15MC |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 36A, 10V | 1.4mOhm @ 23A, 10V | 0.65mOhm @ 30A, 10V | 11.5mOhm @ 35A, 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 2.7W (Ta), 102W (Tc) | 3.3W (Ta), 138.9W (Tc) | 4W (Ta), 187W (Tc) | 2.7W (Ta), 147W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2705 pF @ 60 V | 14950 pF @ 15 V | 12300 pF @ 15 V | 3592 pF @ 75 V |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 120 V | 30 V | 30 V | 150 V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 200µA | 3V @ 250µA | 2.2V @ 280µA | 4.5V @ 194µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±25V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta), 79A (Tc) | 40.2A (Ta), 263A (Tc) | 59A (Ta), 409A (Tc) | 10.7A (Ta), 78A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 8-PQFN (5x6) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | 217 nC @ 4.5 V | 147 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 8V, 10V |
NTMFS008N12MCT1G - onsemiのNTMFS008N12MCT1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTMFD5C674NLT1GonsemiT6 60V LL S08FL DSNTMFS4108NAMI Semiconductor/onsemiNTMFD5C650NLT1GONsemiNTMFS002P03P8ZT1GonsemiMOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SONTMFS1D15N03CGT1GONsemiNTMFS0D7N03CGT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFNNTMFS011N15MConsemiMOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFNNTMFS0D9N03CGT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 48A/298A 5DFNNTMFS015N15MConsemiMOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFNNTMFS006N12MCT1GONsemiNTMFS005N10MCLT1GONsemiNTMFS3D6N10MCLT1GONsemiNTMFS10N7D2CONsemiNTMFS005P03P8ZT1GONsemiNTMFD4H089NFT1GAMI Semiconductor/onsemiNTMFD4C87NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8DFNNTMFS0D55N03CGT1GonsemiWIDE SOANTMFD4H088NFT1GAMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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