NTMFS6H864NLT1Gの技術仕様
onsemi - NTMFS6H864NLT1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTMFS6H864NLT1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 20µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 29mOhm @ 5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.5W (Ta), 33W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 431 pF @ 40 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Ta), 22A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NTMFS6 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTMFS6H864NLT1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTMFS6H864NLT1G | NTMFS6H800NT1G | NTMFS6H836NLT1G | NTMFS6H848NT1G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 基本製品番号 | NTMFS6 | NTMFS6 | NTMFS6 | NTMFS6 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 431 pF @ 40 V | 5530 pF @ 40 V | 1950 pF @ 40 V | 1180 pF @ 40 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 29mOhm @ 5A, 10V | 2.1mOhm @ 50A, 10V | 6.2mOhm @ 15A, 10V | 9.4mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 3.5W (Ta), 33W (Tc) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | 3.7W (Ta), 89W (Tc) | 3.7W (Ta), 73W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9 nC @ 10 V | 85 nC @ 10 V | 34 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | 80 V | 80 V | 80 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 20µA | 4V @ 330µA | 2V @ 95µA | 4V @ 70µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Ta), 22A (Tc) | 28A (Ta), 203A (Tc) | 16A (Ta), 77A (Tc) | 13A (Ta), 57A (Tc) |
NTMFS6H864NLT1G - onsemiのNTMFS6H864NLT1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTMFS6H818NLT1GONsemiNTMFS6H801NAMI Semiconductor/onsemiNTMP2012A-1HOLINEAREKNTMFS6H800NT1GonsemiMOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFNNTMFS6H836NLT1GonsemiMOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFNNTMFS6H848NT1GonsemiMOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFNNTMP2014-1HOLINEAREKNTMFSC0D9N04CLonsemiMOSFET N-CH 40V 8PQFNNTMFS6H818NT1GONsemi
NTMS10P02R2onsemiMOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOICNTMFS7D5N15MCONsemiNTMFSC4D2N10MCONsemiNTMP2012-3HOLINEAREKNTMFS6H801NT1GonsemiMOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFNNTMFS6H824NT1GONsemiNTMP2012-1HOLTEKNTMFS6H800NLT1GONsemiNTMFSC004N08MCONsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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