NTRV4101PT1Gの技術仕様
onsemi - NTRV4101PT1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTRV4101PT1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 1.6A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 420mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 675 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.8A (Ta) | |
| 基本製品番号 | NTRV4101 |
右側の三つのパーツはonsemi NTRV4101PT1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTRV4101PT1G | NTR4503NT1G | NTR5198NLT1G | NTR4503NT3G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 420mW (Ta) | 420mW (Ta) | 900mW (Ta) | 420mW (Ta) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| Vgs（最大） | ±8V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 基本製品番号 | NTRV4101 | NTR4503 | NTR5198 | NTR450 |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 1.6A, 4.5V | 110mOhm @ 2.5A, 10V | 155mOhm @ 1A, 10V | 110mOhm @ 2.5A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V | 7 nC @ 10 V | 2.8 nC @ 4.5 V | 7 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 30 V | 60 V | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.8A (Ta) | 1.5A (Ta) | 1.7A (Ta) | 1.5A (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 675 pF @ 10 V | 250 pF @ 24 V | 182 pF @ 25 V | 250 pF @ 24 V |
NTRV4101PT1G - onsemiのNTRV4101PT1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTR4503LT1GAMI Semiconductor/onsemiNTR4505NT1GAMI Semiconductor/onsemiNTR5198NLT3GONsemiNTR4503NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3NTRV4101PT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTR5198NLT1GonsemiMOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3NTR4502NT1GAMI Semiconductor/onsemiNTR4503NT3GonsemiMOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
NTR4502PSIPUSEMI
NTR4503NT1onsemiMOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3NTR4503NT1G-001AMI Semiconductor/onsemiNTR4503NSIPUSEMINTR4502PT1GonsemiMOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3NTR5105PT1GonsemiMOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3NTR4502PT3GonsemiMOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3NTR5103NT1GonsemiMOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3NTR4502PT1onsemiMOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3NTR5198NSHIKUES| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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