NVTFS5116PLWFTWGの技術仕様
onsemi - NVTFS5116PLWFTWG技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NVTFS5116PLWFTWG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52mOhm @ 7A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.2W (Ta), 21W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1258 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) | |
| 基本製品番号 | NVTFS5116 |
右側の三つのパーツはonsemi NVTFS5116PLWFTWGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NVTFS5116PLWFTWG | NVTFS5124PLWFTAG | NVTFS5820NLTAG | NVTFS4C25NWFTAG |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 電力消費（最大） | 3.2W (Ta), 21W (Tc) | 3W (Ta), 18W (Tc) | 3.2W (Ta), 21W (Tc) | 3W (Ta), 14.3W (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) | 2.4A (Ta) | 11A (Ta) | 10.1A (Ta), 22.1A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1258 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V | 1462 pF @ 25 V | 500 pF @ 15 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V | 6 nC @ 10 V | 28 nC @ 10 V | 10.3 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.3V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) | 8-WDFN (3.3x3.3) | 8-WDFN (3.3x3.3) | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52mOhm @ 7A, 10V | 260mOhm @ 3A, 10V | 11.5mOhm @ 8.7A, 10V | 17mOhm @ 10A, 10V |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 30 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 基本製品番号 | NVTFS5116 | NVTFS5124 | NVTFS5820 | NVTFS4 |
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NVTFS5124PLWFTAGonsemiMOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFNNVTFS5820NLTAGonsemiMOSFET N-CH 60V 11A 8WDFNNVTFS4C25NWFTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFNNVTFS5820NLTWGonsemiMOSFET N-CH 60V 11A 8WDFNNVTFS5116PLWFTAGonsemiMOSFET P-CH 60V 6A 8WDFNNVTFS5124PLTWGonsemiMOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFNNVTFS5116PLTWGonsemiMOSFET P-CH 60V 6A 8WDFNNVTFS5820NLWFTWGonsemiMOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
NVTFS5811NLTAGAMI Semiconductor / ON SemiconductorMOSFET N-CH 40V 40A 8WDFNNVTFS4C13NWFTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 14A 8WDFNNVTFS5811NLWFTWGonsemiMOSFET N-CH 40V 16A 8WDFNNVTFS5116PLWFTAAMI Semiconductor/onsemiNVTFS4C13NTWGonsemiMOSFET N-CH 30V 14A 8WDFNNVTFS4C25NTAGonsemiMOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFNNVTFS4C25NAMI Semiconductor/onsemiNVTFS5116PLTAGonsemiMOSFET P-CH 60V 6A 8WDFNNVTFS5124PLTAGonsemiMOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFNNVTFS5811NLAMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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