AOU4S60の技術仕様
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOU4S60技術仕様、属性、パラメーター、およびAlpha & Omega Semiconductor Inc. - AOU4S60仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251-3 | |
| シリーズ | aMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 900mOhm @ 2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 56.8W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 263 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) | |
| 基本製品番号 | AOU4 |
右側の三つのパーツはAlpha & Omega Semiconductor Inc. AOU4S60と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | AOU4S60 | AOU7S65 | AOU7S60 | AOU4N60 |
| メーカー | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | aMOS™ | aMOS™ | aMOS™ | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251-3 | TO-251-3 | TO-251-3 | TO-251-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | AOU4 | AOU7 | AOU7 | AOU4 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) | 7A (Tc) | 7A (Tc) | 4A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6 nC @ 10 V | 9.2 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V | 14.5 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 263 pF @ 100 V | 434 pF @ 100 V | 372 pF @ 100 V | 640 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 900mOhm @ 2A, 10V | 650mOhm @ 3.5A, 10V | 600mOhm @ 3.5A, 10V | 2.3Ohm @ 2A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3.9V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 電力消費（最大） | 56.8W (Tc) | 89W (Tc) | 83W (Tc) | 104W (Tc) |
AOU4S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.のAOU4S60 PDFデータテーブルとAlpha & Omega Semiconductor Inc.ドキュメントをダウンロード
AOU7S65Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3AOU7BASILERGYAOU4144AOSAOU7S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3AOU436AOSAOU454AOAOU4N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3AOUS66616Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8AOU417AOAOU3N60 MOSAOU452AOSAOU401AOSAOU402AOSAOU438AOSAOU403AOSAOU3N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 600V 2.5A TO251-3AOU413VBSEMIAOU414AOS| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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