BSC110N06NS3GATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSC110N06NS3GATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSC110N06NS3GATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 23µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-5 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2700 pF @ 30 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | |
| 基本製品番号 | BSC110 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSC110N06NS3GATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSC110N06NS3GATMA1 | BSC110N15NS5ATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 | BSC118N10NSG |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 150 V | 80 V | 100 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 8V, 10V | 6V, 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | 125W (Tc) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | 114W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 23µA | 4.6V @ 91µA | 3.8V @ 22µA | 4V @ 70µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11mOhm @ 50A, 10V | 11mOhm @ 38A, 10V | 11.7mOhm @ 25A, 10V | 11.8mOhm @ 50A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2700 pF @ 30 V | 2770 pF @ 75 V | 1300 pF @ 40 V | 3700 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | BSC110 | BSC110 | BSC117 | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ 2 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8-7 | PG-TDSON-8-7 | PG-TDSON-8-1 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | 76A (Tc) | 49A (Tc) | 11A (Ta), 71A (Tc) |
BSC110N06NS3GATMA1 - Infineon TechnologiesのBSC110N06NS3GATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 76A TDSONBSC110N06NS3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC110N06NS3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC117N08NS5 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC110N15NS5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC109N10NS3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC109N10NS3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC118N10NSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 49A TDSONBSC110N06NS3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC118N10NSGInfineon TechnologiesBSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL PBSC109N10NS3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC117N08NS5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC110N15NSS5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC106N025SGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC110N06NSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC109N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1BSC110N06NSGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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