BSC252N10NSFGATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSC252N10NSFGATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSC252N10NSFGATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 43µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-1 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25.2mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 78W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.2A (Ta), 40A (Tc) | |
| 基本製品番号 | BSC252 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSC252N10NSFGATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSC252N10NSFGATMA1 | BSC240N12NS3G | BSC320N20NS3GATMA1 | BSC22DN20NS3GATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon |
| 電力消費（最大） | 78W (Tc) | 66W (Tc) | 125W (Tc) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25.2mOhm @ 20A, 10V | 24mOhm @ 31A, 10V | 32mOhm @ 36A, 10V | - |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 43µA | 4V @ 35µA | 4V @ 90µA | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100 pF @ 50 V | 1900 pF @ 60 V | 2350 pF @ 100 V | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-1 | PG-TDSON-8-1 | PG-TDSON-8-1 | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.2A (Ta), 40A (Tc) | 37A (Tc) | 36A (Tc) | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 120 V | 200 V | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 基本製品番号 | BSC252 | - | BSC320 | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
BSC252N10NSFGATMA1 - Infineon TechnologiesのBSC252N10NSFGATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSC22DN20NS3GATMA1InfineonBSC252N10NSF-GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC252N10NSFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC22DN20NS3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC265N10LS MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC265N10LSFGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC240N12NS3GInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBSC320N20NS3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC252N10NSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC265N10LSFGATMA1InfineonBSC252N10NSFGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC320N20NS3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC22N03SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC320N20NS3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC220N20NSFDATMA1 220N20FCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC27N03SGINENOIBSC320N20NSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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