BSS316NH6327XTSA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSS316NH6327XTSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSS316NH6327XTSA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 3.7µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT23 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 1.4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 94 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.6 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.4A (Ta) | |
| 基本製品番号 | BSS316 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSS316NH6327XTSA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSS316NH6327XTSA1 | BSS606NH6327 | BSS315PH6327XTSA1 | BSS606NH6327XTSA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 94 pF @ 15 V | 657 pF @ 25 V | 282 pF @ 15 V | 657 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 60 V | 30 V | 60 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT23 | PG-SOT89-4-2 | PG-SOT23 | PG-SOT89 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | 1W (Ta) | 500mW (Ta) | 1W (Ta) |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ 3 | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.6 nC @ 5 V | 5.6 nC @ 5 V | 2.3 nC @ 5 V | 5.6 nC @ 5 V |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-243AA | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-243AA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | BSS316 | - | BSS315 | BSS606 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.4A (Ta) | 3.2A (Ta) | 1.5A (Ta) | 3.2A (Ta) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 3.7µA | 2.3V @ 15µA | 2V @ 11µA | 2.3V @ 15µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 1.4A, 10V | 60mOhm @ 3.2A, 10V | 150mOhm @ 1.5A, 10V | 60mOhm @ 3.2A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
BSS316NH6327XTSA1 - Infineon TechnologiesのBSS316NH6327XTSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSS316N MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS315P MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS606NH6327Infineon TechnologiesBSS606 - 250V-600V SMALL SIGNALBSS315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3BSS316NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS315PH6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS606N H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSS606NBSS315P L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSS63/ATLUMILEDSBSS316N L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS316N H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSS63 E6327AMI Semiconductor/onsemiBSS63215NXOP
BSS63LT1GonsemiTRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
BSS5540XFreescale / NXP SemiconductorsBSS316NH6327| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。