IPB03N03LAGの技術仕様
Infineon Technologies - IPB03N03LAG技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPB03N03LAG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7mOhm @ 55A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7027 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 57 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPB03N03LAGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPB03N03LAG | IPB038N12N3GATMA1 | IPB0401NM5SATMA1 | IPB03N03LA |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | 300W (Tc) | - | 150W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7027 pF @ 15 V | 13800 pF @ 60 V | - | 7027 pF @ 15 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3 | - | PG-TO263-3-2 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 57 nC @ 5 V | 211 nC @ 10 V | - | 57 nC @ 5 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7mOhm @ 55A, 10V | 3.8mOhm @ 100A, 10V | - | 2.7mOhm @ 55A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | - | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - | OptiMOS™ |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 120 V | - | 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 120A (Tc) | - | 80A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 100µA | 4V @ 270µA | - | 2V @ 100µA |
IPB042N03LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB039N10N3InfineonIPB042N10NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB042N10N30GINFENIONIPB042N10N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB038N12N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB03N03LA MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 120V 120A D2PAKIPB0401NM5SATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100VIPB03N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 80A TO263-3IPB041N04NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB038N12N3InfineonIPB038N12N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB039N04LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB0401NM5SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB041N12N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB042N10N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB039N10N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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