IPB0401NM5SATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPB0401NM5SATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPB0401NM5SATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | - | |
| 技術 | - | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | |
| 電力消費（最大） | - |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | - | |
| FETタイプ | - | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | |
| 基本製品番号 | IPB0401 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPB0401NM5SATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPB0401NM5SATMA1 | IPB03N03LAG | IPB042N10N3GATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | 80A (Tc) | 100A (Tc) | 120A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | 2.7mOhm @ 55A, 10V | 4.2mOhm @ 50A, 10V | 3.8mOhm @ 100A, 10V |
| 基本製品番号 | IPB0401 | - | IPB042 | IPB038 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | 2V @ 100µA | 3.5V @ 150µA | 4V @ 270µA |
| シリーズ | - | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
| FETタイプ | - | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | - | 150W (Tc) | 214W (Tc) | 300W (Tc) |
| 運転温度 | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vgs（最大） | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| 技術 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IPB03N03LA MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB0401NM5SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB03N03LAGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 100A D2PAKIPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 120V 120A D2PAKIPB042N10N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB039N10N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB042N03LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB041N04NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB042N10N30GINFENIONIPB041N12N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB039N04LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB042N10N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB039N10N3InfineonIPB03N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 80A TO263-3IPB038N12N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB042N10N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB042N10NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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