IPB530N15N3GATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPB530N15N3GATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPB530N15N3GATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 35µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 53mOhm @ 18A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 68W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 887 pF @ 75 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPB530 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPB530N15N3GATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPB530N15N3GATMA1 | IPB50R199CP | IPB50R250CP | IPB600N25N3GATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon |
| 基本製品番号 | IPB530 | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 887 pF @ 75 V | 1800 pF @ 100 V | 1420 pF @ 100 V | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 35µA | 3.5V @ 660µA | 3.5V @ 520µA | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) | 17A (Tc) | 13A (Tc) | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 53mOhm @ 18A, 10V | 199mOhm @ 9.9A, 10V | 250mOhm @ 7.8A, 10V | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V, 10V | - | 10V | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | OptiMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | - |
| 電力消費（最大） | 68W (Tc) | 139W (Tc) | 114W (Tc) | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 500 V | 500 V | - |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
IPB530N15N3GATMA1 - Infineon TechnologiesのIPB530N15N3GATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPB600N25N3GATMA1InfineonIPB600N25N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPB50R140INFIPB50R199CPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 17A TO263-3-2IPB50R299CPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB60R040C7 6R040C7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB600N25N3G 600N25NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB50R250CPInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPB60R040CFD7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB50R140CP 5R140PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB530N15N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB60R040C7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB60R040C7ATMA1InfineonIPB530N15N3G MOSINFIPB600N25N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB50R140CPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB50R199CP 5R199PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB60R045P7INENOI| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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