IPD30N06S3-24の技術仕様
Infineon Technologies - IPD30N06S3-24技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPD30N06S3-24仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | - | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | |
| シリーズ | OptiMOS-T | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | |
| 電力消費（最大） | - | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | - | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPD30N06S3-24と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPD30N06S3-24 | IPD30N06S3L-20 | IPD30N06S2L-23 | IPD30N06S4L23ATMA2 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Vgs（最大） | - | ±16V | ±20V | ±16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-11 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | 20mOhm @ 17A, 10V | 23mOhm @ 22A, 10V | 23mOhm @ 30A, 10V |
| 電力消費（最大） | - | 45W (Tc) | 100W (Tc) | 36W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | 5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| シリーズ | OptiMOS-T | OptiMOS® | OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 運転温度 | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | 2.2V @ 20µA | 2V @ 50µA | 2.2V @ 10µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 55 V | 55 V | 60 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) |
IPD30N06S215InfineonIPD30N06S3L-20Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPD30N06S4L-23Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD30N06S2L-23Infineon TechnologiesIPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTIPD30N08S2-22 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD30N06S4L23ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 30A TO252-31IPD30N06S2L23ATMA3Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A TO252-31IPD30N06S4L23ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 30A TO252-3IPD30N06S2-23Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD30N06S2L-13Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A TO252-3IPD30N06S2-23 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A TO252-31IPD30N06S4L-23 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD30N06S4L-23 4N06L23Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD30N08S2-22Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD30N06S2-15 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD30N06S2L-13 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD30N08S2-22 2N0822Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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