IPD60R1K4C6の技術仕様
Infineon Technologies - IPD60R1K4C6技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPD60R1K4C6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 90µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 | |
| シリーズ | CoolMOS™ C6 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4Ohm @ 1.1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 28.4W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 200 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.4 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.2A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPD60R |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPD60R1K4C6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPD60R1K4C6 | IPD60R180P7SAUMA1 | IPD60R1K0CEAUMA1 | IPD60R180P7ATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 基本製品番号 | IPD60R | IPD60R | IPD60R | IPD60R |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 200 pF @ 100 V | 1081 pF @ 400 V | 280 pF @ 100 V | 1081 pF @ 400 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.4 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-344 | PG-TO252-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 90µA | 4V @ 280µA | 3.5V @ 130µA | 4V @ 280µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.2A (Tc) | 18A (Tc) | 6.8A (Tc) | 18A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 28.4W (Tc) | 72W (Tc) | 61W (Tc) | 72W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | CoolMOS™ C6 | CoolMOS™ P7 | CoolMOS™ CE | CoolMOS™ P7 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4Ohm @ 1.1A, 10V | 180mOhm @ 5.6A, 10V | 1Ohm @ 1.5A, 10V | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
IPD60R1K4C6 - Infineon TechnologiesのIPD60R1K4C6 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPD60R1K4C6BTMA1INENOI
IPD60R180C7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R280P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 18A TO252-3IPD60R180P7SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R180P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R280P7SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252IPD60R170CFD7INENOIIPD60R280CFD7ATMA1InfineonIPD60R1K0CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R1K5CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R1K4C6 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R170CFD7ATMA1InfineonIPD60R280CFD7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 18A TO252-3IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 5A TO252IPD60R210PFD7STO-252| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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