IPI180N10N3GXKSA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPI180N10N3GXKSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPI180N10N3GXKSA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 33µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18mOhm @ 33A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 71W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1800 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 43A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPI180 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPI180N10N3GXKSA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPI180N10N3GXKSA1 | IPI126N10N3G | IPI12CN10NG | IPI320N20N3G |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| パッケージ | Tube | Bulk | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 6V, 10V | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 33µA | 3.5V @ 46µA | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | - | - |
| 基本製品番号 | IPI180 | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 43A (Tc) | 58A (Tc) | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18mOhm @ 33A, 10V | 12.6mOhm @ 46A, 10V | - | - |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| 電力消費（最大） | 71W (Tc) | 94W (Tc) | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3 | PG-TO262-3 | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1800 pF @ 50 V | 2500 pF @ 50 V | - | - |
IPI180N10N3GXKSA1 - Infineon TechnologiesのIPI180N10N3GXKSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPI12CN10NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI320N20N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI50CN10NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI50R199CPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI200N15N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI26CN10NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI50CN10NG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI120N10S4-03Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI180N10N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI120N10S4-05 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI126N10N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI12CN10NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI139N08N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI45N06S4-09Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI50R099CPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI180N10N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI126N10N3GInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI45N06S4-09 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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