IPI65R099C6の技術仕様
Infineon Technologies - IPI65R099C6技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPI65R099C6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 1.2mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 99mOhm @ 12.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 278W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2780 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 127 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPI65R099C6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPI65R099C6 | IPI60R385CP | IPI60R190C6XKSA1 | IPI60R280C6 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 1.2mA | 3.5V @ 340µA | 3.5V @ 630µA | 3.5V @ 430µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3 | PG-TO262-3-1 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 278W (Tc) | 83W (Tc) | 151W (Tc) | 104W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 99mOhm @ 12.8A, 10V | 385mOhm @ 5.2A, 10V | 190mOhm @ 9.5A, 10V | 280mOhm @ 6.5A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 127 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2780 pF @ 100 V | 790 pF @ 100 V | 1400 pF @ 100 V | 950 pF @ 100 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| シリーズ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ C6 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Tc) | 9A (Tc) | 20.2A (Tc) | 13.8A (Tc) |
IPI70N04S4-06Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI60R385CPInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI60R190C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3IPI65R380C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI60R520CPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI60R280C6Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3IPI70N12S3L-12Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI60R600CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPI65R190C6InfineonIPI60R299CPInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI65R190CFDINFIPI65R280C6Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI60R199CPInfineon TechnologiesCOOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETIPI60R190C6Infineon TechnologiesCOOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETIPI60R380C6Infineon TechnologiesCOOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETIPI70R950CEInfineonIPI65R600C6Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPI70N10SL-16Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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