IPW60R099CPの技術仕様
Infineon Technologies - IPW60R099CP技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPW60R099CP仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 1.2mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 99mOhm @ 18A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 255W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2800 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPW60R099CPと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPW60R099CP | IPW60R099P7 | IPW60R099P6XKSA1 | IPW60R099P7XKSA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 10 V | - | 70 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | - | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | - | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 99mOhm @ 18A, 10V | - | 99mOhm @ 14.5A, 10V | 99mOhm @ 10.5A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 1.2mA | - | 4.5V @ 1.21mA | 4V @ 530µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 255W (Tc) | - | 278W (Tc) | 117W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2800 pF @ 100 V | - | 3330 pF @ 100 V | 1952 pF @ 400 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A (Tc) | - | 37.9A (Tc) | 31A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3 | - | PG-TO247-3 | PG-TO247-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | - | 600 V | 600 V |
IPW60R099P7Infineon Technologies600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFETIPW60R099ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R099C6 6R099C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R099P6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3IPW60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 31A TO247-3IPW60R099C7 60C7099Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R099C6FKSA1InfineonIPW60R099C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R099C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R099CPAInfineon TechnologiesIPW60R099 - 600V-800V N-CHANNELIPW60R099C6/6R099C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R099CP6R099Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R099P6 6R099P6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R099C6FKSA1 6R099C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R099C7Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 22A TO247IPW60R099CP/6R099Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R099CPAFKSA1IPW60R099P6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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