IRF60R217の技術仕様
Infineon Technologies - IRF60R217技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF60R217仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252AA) | |
| シリーズ | StrongIRFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.9mOhm @ 35A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 83W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2170 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 66 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 58A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF60R217 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF60R217と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF60R217 | IRF610LPBF | IRF60DM206 | IRF610 |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Harris Corporation |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 58A (Tc) | 3.3A (Tc) | 130A (Tc) | 3.3A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 83W (Tc) | 3W (Ta), 36W (Tc) | 96W (Tc) | 36W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 200 V | 60 V | 200 V |
| 基本製品番号 | IRF60R217 | IRF610 | IRF60DM206 | IRF610 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2170 pF @ 25 V | 140 pF @ 25 V | 6530 pF @ 25 V | 140 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 50µA | 4V @ 250µA | 3.7V @ 150µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.9mOhm @ 35A, 10V | 1.5Ohm @ 2A, 10V | 2.9mOhm @ 80A, 10V | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | StrongIRFET™ | - | StrongIRFET™ | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | DirectFET™ Isometric ME | TO-220-3 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252AA) | I2PAK | DirectFET™ Isometric ME | TO-220AB |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 66 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 10V | 6V, 10V | 10V |
IRF60R217 - Infineon TechnologiesのIRF60R217 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF610LPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAKIRF5Y540CMIRIRF60DM206Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFETIRF610Harris Corporation3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNELIRF5YZ48CMIRIRF5NJ540SCXIRIRF6100Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFETIRF5Y5305CMIRIRF5NJ9540SCXIRIRF60SC241ARMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 360A TO263-7IRF610Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 3.3A TO220ABIRF6100 MOSIRIRF60B217InfineonIRF610PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 3.3A TO220ABIRF5Y5305CMSCVIR
IRF610AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRF610B MOSFairchild (onsemi)IRF5NJ9540IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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