IRF6709S2TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF6709S2TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF6709S2TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 25µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DirectFET™ Isometric S1 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.8mOhm @ 12A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta), 21W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric S1 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1010 pF @ 13 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta), 39A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF6709S2TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF6709S2TRPBF | IRF6709S2TR1PBF | IRF6713STRPBF | IRF6691TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 25µA | 2.4V @ 50µA | 2.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±12V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.8mOhm @ 12A, 10V | 7.8mOhm @ 12A, 10V | 3mOhm @ 22A, 10V | 1.8mOhm @ 15A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | DirectFET™ Isometric S1 | DirectFET™ Isometric S1 | DirectFET™ Isometric SQ | DIRECTFET™ MT |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 25 V | 25 V | 20 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 4.5 V | 32 nC @ 4.5 V | 71 nC @ 4.5 V |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta), 21W (Tc) | 1.8W (Ta), 21W (Tc) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1010 pF @ 13 V | 1010 pF @ 13 V | 2880 pF @ 13 V | 6580 pF @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta), 39A (Tc) | 12A (Ta), 39A (Tc) | 22A (Ta), 95A (Tc) | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric S1 | DirectFET™ Isometric S1 | DirectFET™ Isometric SQ | DirectFET™ Isometric MT |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | DirectFET™ | HEXFET® |
IRF6709S2TRPBF - Infineon TechnologiesのIRF6709S2TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF6712STRPBF MOSIRIRF6691IRIRF6709S2TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFETIRF6713STRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFTIRF6691TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFETIRF6691TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFETIRF6711STRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFTIRF6691TRIRIRF6711TRPBFIRIRF6712STR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFETIRF6710S2TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFETIRF6709S2TRIRIRF6691TR1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFETIRF6712STRPBFInfineon TechnologiesIRF6712 - 12V-300V N-CHANNEL POWIRF6706S2TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFETIRF6710S2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFETIRF6678TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFETIRF6710S2TRPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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