IRF7433TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7433TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7433TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 900mV @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 24mOhm @ 8.7A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1877 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.9A (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7433TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7433TRPBF | IRF7425PBF | IRF7433 | IRF744 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 4.5 V | 130 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 4.5 V | 80 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 24mOhm @ 8.7A, 4.5V | 8.2mOhm @ 15A, 4.5V | 24mOhm @ 8.7A, 4.5V | 630mOhm @ 5.3A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | 20 V | 12 V | 450 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±8V | ±12V | ±8V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 125W (Tc) |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 900mV @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.9A (Ta) | 15A (Ta) | 8.9A (Ta) | 8.8A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | TO-220AB |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1877 pF @ 10 V | 7980 pF @ 15 V | 1877 pF @ 10 V | 1400 pF @ 25 V |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-220-3 |
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IRF7425PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 15A 8SOIRF7433Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 8.9A 8SOIRF744Vishay SiliconixMOSFET N-CH 450V 8.8A TO220ABIRF7450TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
IRF7425TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF7433PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 8.9A 8SOIRF7450Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 2.5A 8SOIRF7425TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 15A 8SO
IRF7450TRPBF MOSIRIRF7424TRPBF MOSIRIRF7425TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 15A 8SOIRF7451Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIRF7451PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIRF7428RA1IRIRF7433TRPBF.IRIRF7435TRPBFIRIRF7425Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 15A 8SOIRF7450TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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