IRF7523D1TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7523D1TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7523D1TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ | |
| シリーズ | FETKY™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 130mOhm @ 1.7A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.25W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 210 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.7A (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7523D1TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7523D1TRPBF | IRF7524D1TR | IRF7523D1TR | IRF7521D1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 2.7V, 4.5V | 4.5V, 10V | 2.7V, 4.5V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ | Micro8™ | Micro8™ | Micro8™ |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 210 pF @ 25 V | 240 pF @ 15 V | 210 pF @ 25 V | 260 pF @ 15 V |
| シリーズ | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 700mV @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA | 700mV @ 250µA (Min) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 130mOhm @ 1.7A, 10V | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V | 130mOhm @ 1.7A, 10V | 135mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 10 V | 8 nC @ 4.5 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
| 電力消費（最大） | 1.25W (Ta) | 1.25W (Ta) | 1.25W (Ta) | 1.3W (Ta) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±12V | ±20V | ±12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.7A (Ta) | 1.7A (Ta) | 2.7A (Ta) | 2.4A (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 20 V | 30 V | 20 V |
IRF7523D1TRPBF - Infineon TechnologiesのIRF7523D1TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7524D1TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
IRF7524D1IRIRF7524TRPBF.IR
IRF750AFairchild (onsemi)IRF7521DIRIRF7523D1TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8IRF7521D1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8IRF7524D1GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 1.7A 8USMDIRF7521IRIRF7524IRIRF7521D1TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8IRF7524D1PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8IRF7521D1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8IRF7524D1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8IRF7521D1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8IRF7524DIRIRF7526D1TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 2A MICRO8IRF7521DTRPBFIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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