IRF7601TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7601TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7601TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 250µA (Min) | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 3.8A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 650 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.7V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.7A (Ta) | |
| 基本製品番号 | IRF7601 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7601TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7601TRPBF | IRF7601TR | IRF7604TR | IRF7534D1TR |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta) | - | - | 1.25W (Ta) |
| 基本製品番号 | IRF7601 | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| シリーズ | HEXFET® | - | - | FETKY™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 3.8A, 4.5V | 35mOhm @ 3.8A, 4.5V | 90mOhm @ 2.4A, 4.5V | 55mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | 22 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 4.5 V | 15 nC @ 5 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 650 pF @ 15 V | 650 pF @ 15 V | 590 pF @ 15 V | 1066 pF @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 250µA (Min) | 700mV @ 250µA (Min) | 700mV @ 250µA (Min) | 1.2V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.7V, 4.5V | - | - | 2.5V, 4.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ | Micro8™ | Micro8™ | Micro8™ |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | Schottky Diode (Isolated) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.7A (Ta) | 5.7A (Ta) | 3.6A (Ta) | 4.3A (Ta) |
| Vgs（最大） | ±12V | - | - | ±12V |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
IRF7601TRPBF - Infineon TechnologiesのIRF7601TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7555IRIRF7601TRPBF MOSIRFIRF7603IRIRF7560IRIRF7601TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8IRF7606IRIRF7606 MOSIRIRF7534D1TRPBF MOSIRIRF7604TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8IRF7534D1TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8IRF7580MTRPBFInternational RectifierIRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POWIRF7604TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8IRF7555TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8IRF7603TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8IRF7601IRIRF7555TRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8IRF7603TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8IRF7604IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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