IRF7702の技術仕様
Infineon Technologies - IRF7702技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7702仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 8A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3470 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 81 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7702と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7702 | IRF7700 | IRF7663 | IRF7704TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3470 pF @ 10 V | 4300 pF @ 15 V | 2520 pF @ 10 V | 3150 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 8A, 4.5V | 15mOhm @ 8.6A, 4.5V | 20mOhm @ 7A, 4.5V | 46mOhm @ 4.6A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Tc) | 1.5W (Tc) | 1.8W (Ta) | 1.5W (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | 20 V | 20 V | 40 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 81 nC @ 4.5 V | 89 nC @ 5 V | 45 nC @ 5 V | 38 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大） | ±8V | ±12V | ±12V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | 8.6A (Tc) | 8.2A (Ta) | 4.6A (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | 8-TSSOP | Micro8™ | 8-TSSOP |
IRF7702 - Infineon TechnologiesのIRF7702 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7700Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOPIRF7663Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8IRF7704TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOPIRF7705TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOPIRF7702TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOPIRF7705Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOPIRF7663TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8IRF7702TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOPIRF7704Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOPIRF7701TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOPIRF7706TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP
IRF7665S2TRPBFInternational RectifierMOSFET NCH 100V 4.1/14.4A DIRECTIRF7700TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOPIRF7663TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
IRF7626TRPBFIRFIRF7705TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOPIRF7701TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOPIRF7706TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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