IRF7769L2TRPBFの技術仕様
International Rectifier - IRF7769L2TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInternational Rectifier - IRF7769L2TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET L8 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.5mOhm @ 74A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric L8 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11560 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 375A (Tc) |
右側の三つのパーツはInternational Rectifier IRF7769L2TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7769L2TRPBF | IRF7805ATRPBF | IRF7780MTRPBF | IRF7759L2TR1PBF |
| メーカー | International Rectifier | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±12V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET L8 | 8-SO | DirectFET™ Isometric ME | DirectFET™ Isometric L8 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V | 6V, 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11560 pF @ 25 V | - | 6504 pF @ 25 V | 12222 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 375A (Tc) | 13A (Ta) | 89A (Tc) | 26A (Ta), 375A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.5mOhm @ 74A, 10V | 11mOhm @ 7A, 4.5V | 5.7mOhm @ 53A, 10V | 2.3mOhm @ 96A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3.7V @ 150µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 30 V | 75 V | 75 V |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric L8 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | DirectFET™ Isometric ME | DirectFET™ Isometric L8 |
| 電力消費（最大） | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | 2.5W (Ta) | 96W (Tc) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 300 nC @ 10 V | 31 nC @ 5 V | 186 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | StrongIRFET™ | HEXFET® |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
IRF7805ATRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIRF7780MTRPBFInternational RectifierIRF7780 - 12V-300V N-CHANNEL POWIRF7759L2TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFETIRF7805APBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A 8SO
IRF7757TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOPIRF7759L2TRCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF7757IRIRF7805PBF MOSIRIRF7805PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFETIRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFETIRF7759L2TRPBFInternational RectifierIRF7759 - 12V-300V N-CHANNEL POWIRF7799L2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFETIRF7756TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOPIRF7805IRIRF7805ATRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIRF7757TRInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8IRF7756TRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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