IRFH7545TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH7545TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH7545TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) | |
| シリーズ | StrongIRFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.2mOhm @ 51A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 83W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3890 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 85A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFH7545 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH7545TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH7545TRPBF | IRFH7914TR2PBF | IRFH7446TRPBF | IRFH7882TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 83W (Tc) | - | 78W (Tc) | 4W (Ta), 195W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 30 V | 40 V | 80 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 100µA | 2.35V @ 25µA | 3.9V @ 100µA | 3.6V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | IRFH7545 | - | IRFH7446 | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | 12 nC @ 4.5 V | 98 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | - | 6V, 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 85A (Tc) | 15A (Ta), 35A (Tc) | 85A (Tc) | 26A (Ta) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-TQFN Exposed Pad | 8-VQFN |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.2mOhm @ 51A, 10V | 8.7mOhm @ 14A, 10V | 3.3mOhm @ 50A, 10V | 3.1mOhm @ 50A, 10V |
| シリーズ | StrongIRFET™ | - | HEXFET®, StrongIRFET™ | FASTIRFET™ |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3890 pF @ 25 V | 1160 pF @ 15 V | 3174 pF @ 25 V | 3186 pF @ 40 V |
IRFH7545TRPBF - Infineon TechnologiesのIRFH7545TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFH7914TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 15A PQFN56IRFH7446PBFInfineonIRFH7440IRIRFH7446IRIRFH7446TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 85A 8PQFNIRFH7545IRIRFH7882TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 26A 8PQFNIRFH7914PBFIRIRFH7885TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 22A 8PQFNIRFH7914IRIRFH7545TRPBFVCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFH7440TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 85A 8PQFNIRFH7440TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 85A 8PQFNIRFH7446TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6IRFH7194TRPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRFH7911TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFNIRFH7787TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 68A PQFNIRFH7911MIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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