IRFH8307TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH8307TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH8307TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 150µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7200 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 42A (Ta), 100A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFH8307 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH8307TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH8307TRPBF | IRFH8201TRPBF | IRFH7936TRPBF | IRFH8202TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 25 V | 30 V | 25 V |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | 3.1W (Ta) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) |
| 基本製品番号 | IRFH8307 | IRFH8201 | - | IRFH8202 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7200 pF @ 15 V | 7330 pF @ 13 V | 2360 pF @ 15 V | 7174 pF @ 13 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | 111 nC @ 10 V | 26 nC @ 4.5 V | 110 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 50A, 10V | 0.95mOhm @ 50A, 10V | 4.8mOhm @ 20A, 10V | 1.05mOhm @ 50A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 42A (Ta), 100A (Tc) | 49A (Ta), 100A (Tc) | 20A (Ta), 54A (Tc) | 47A (Ta), 100A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 150µA | 2.35V @ 150µA | 2.35V @ 50µA | 2.35V @ 150µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET® | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
IRFH8307TRPBF - Infineon TechnologiesのIRFH8307TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFNIRFH7936MIRIRFH8311IRIRFH8303PBFIRIRFH7936TRPBFInternational RectifierIRFH7936 - N-CHANNELIRFH8316TR2PBFIRIRFH8202TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFNIRFH8316IRIRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFNIRFH8311TRPBF MOSIRIRFH8318TPBFIRIRFH8318IRIRFH8316TRPBFInternational RectifierIRFH8316 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFH7936PBFIRIRFH7934TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFNIRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFNIRFH8201PBFIRIRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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