IRFHM7194TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFHM7194TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFHM7194TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.6V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | |
| シリーズ | FASTIRFET™, HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16.4mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.8W (Ta), 37W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 733 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.3A (Ta), 34A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFHM7194TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFHM7194TRPBF | IRFHM8228TRPBF | IRFHM8235TRPBF | IRFHM4234TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 12 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 733 pF @ 50 V | 1667 pF @ 10 V | 1040 pF @ 10 V | 1011 pF @ 13 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.3A (Ta), 34A (Tc) | 19A (Ta) | 16A (Ta) | 20A (Ta) |
| 電力消費（最大） | 2.8W (Ta), 37W (Tc) | 2.8W (Ta), 34W (Tc) | 3W (Ta), 30W (Tc) | 2.8W (Ta), 28W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.6V @ 50µA | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 25µA | 2.1V @ 25µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 25 V | 25 V | 25 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-TQFN Exposed Pad |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | FASTIRFET™, HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | FASTIRFET™, HEXFET® |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16.4mOhm @ 20A, 10V | 5.2mOhm @ 20A, 10V | 7.7mOhm @ 20A, 10V | 4.4mOhm @ 30A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | - |
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IRFHM8235IRIRFHM4231TRPBF MOSIRIRFHM4234TRPBF MOSIRIRFHM8228TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 19A 8PQFNIRFHM8235TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 16A 8PQFNIRFHM3911IRIRFHM4234TRPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRFHM792TRCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFHM792TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFNIRFHM830DTR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 20A PQFNIRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFNIRFHM830TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFNIRFHM4226TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 25V 28A PQFNIRFHM8228IRIRFHM520IRIRFHM4231TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 40A 8PQFNIRFHM830DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFNIRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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