IRFS4115PBFの技術仕様
International Rectifier - IRFS4115PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInternational Rectifier - IRFS4115PBF仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
シリーズ | HEXFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12.1mOhm @ 62A, 10V | |
電力消費(最大) | 375W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5270 pF @ 50 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 195A (Tc) |
右側の三つのパーツはInternational Rectifier IRFS4115PBFと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IRFS4115PBF | IRFS4020TRLPBF | IRFS4127TRLPBF | IRFS4115TRL7PP |
メーカー | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150 V | 200 V | 200 V | 150 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 120 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
電力消費(最大) | 375W (Tc) | 100W (Tc) | 375W (Tc) | 380W (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 10V | 10V | 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5270 pF @ 50 V | 1200 pF @ 50 V | 5380 pF @ 50 V | 5320 pF @ 50 V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA | 4.9V @ 100µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 195A (Tc) | 18A (Tc) | 72A (Tc) | 105A (Tc) |
シリーズ | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
FET特長 | - | - | - | - |
パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D2PAK | D2PAK | D2PAK (7-Lead) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12.1mOhm @ 62A, 10V | 105mOhm @ 11A, 10V | 22mOhm @ 44A, 10V | 11.8mOhm @ 63A, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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