IRL8113PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRL8113PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRL8113PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.25V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 21A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2840 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 105A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRL8113PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRL8113PBF | IRL7833S | IRL8114PBF | IRL8113PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | onsemi |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 4.5 V | 47 nC @ 4.5 V | 29 nC @ 4.5 V | 35 nC @ 4.5 V |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | 140W (Tc) | 115W (Tc) | 110W (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | D2PAK | TO-220AB | TO-220AB |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2840 pF @ 15 V | 4170 pF @ 15 V | 2660 pF @ 15 V | 2840 pF @ 15 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.25V @ 250µA | 2.3V @ 250µA | 2.25V @ 250µA | 2.25V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 105A (Tc) | 150A (Tc) | 90A (Tc) | 105A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 21A, 10V | 3.8mOhm @ 38A, 10V | 4.5mOhm @ 40A, 10V | 6mOhm @ 21A, 10V |
IRL8113PBF - Infineon TechnologiesのIRL8113PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRL7833SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
IRLB3034IR
IRLAE702ST1Murata Power SolutionsIRL7833STRPBFIRIRL8114PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 90A TO220ABIRL8113PBFonsemiHEXFET POWER MOSFETIRL8113SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 105A D2PAKIRL7833PBF.VBsemiIRL80HS120Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFNIRL7833SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 150A D2PAKIRL8113Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 105A TO220ABIRL8113S MOSIRIRL8113SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 105A D2PAKIRL81AOSRAMIRL80AOSRAMIRL8748PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRL7833STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 150A D2PAKIRL7833SPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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