SPD09P06PLGBTMA1の技術仕様
Infineon Technologies - SPD09P06PLGBTMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - SPD09P06PLGBTMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 | |
| シリーズ | SIPMOS® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 250mOhm @ 6.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 42W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 450 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.7A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SPD09P06 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies SPD09P06PLGBTMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SPD09P06PLGBTMA1 | SPD09P06PL | SPD08P06PGBTMA1 | SPD100N03S2L-04 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.7A (Tc) | 9.7A (Tc) | 8.83A (Ta) | 100A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| シリーズ | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | OptiMOS™ |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 6.2V | 4.5V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 42W (Tc) | 42W (Tc) | 42W (Tc) | 150W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 基本製品番号 | SPD09P06 | SPD09P | SPD08P06 | SPD100N |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 | PG-TO252-5-1 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 100µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 250mOhm @ 6.8A, 10V | 250mOhm @ 6.8A, 10V | 300mOhm @ 10A, 6.2V | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21 nC @ 10 V | 21 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 89.7 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 30 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 450 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V | 420 pF @ 25 V | 3320 pF @ 25 V |
SPD09P06PLGBTMA1 - Infineon TechnologiesのSPD09P06PLGBTMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
SPD08P06PG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
SPD10N10VBSEMI
SPD121-TFAMI Semiconductor/onsemiSPD1-E9CD-P1WW-LED0499BRIWAYSPD121TonsemiRectifier Diode, Schottky, 0.05ASPD09N05 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPD09P06PLInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3SPD08P06PGBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3SPD09N05Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPD09P06PL MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPD08P06PGVBSEMISPD09P06PLGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPD100GSAMARTECSPD13N05LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPD100N03S2L-04Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 100A TO252-5SPD09P06PLG 09P06PLCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
SPD127R-333MAPI Delevan Inc.FIXED IND 33UH 3A 65 MOHM SMDSPD11N10Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10.5A TO252-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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