FDD4N60NZの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDD4N60NZ技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDD4N60NZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) | |
| シリーズ | UniFET-II™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5Ohm @ 1.7A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 114W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 510 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10.8 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDD4N60NZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDD4N60NZ | FDD4N60NZ | FDD4685_F085 | FDD5614P |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild/ON Semiconductor | onsemi |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 510 pF @ 25 V | 510 pF @ 25 V | 27nC @ 5V | 759 pF @ 30 V |
| シリーズ | UniFET-II™ | UniFET-II™ | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | PowerTrench® |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | 4.5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A (Tc) | 3.4A (Tc) | 40V | 15A (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA | - | TO-252AA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10.8 nC @ 10 V | 10.8 nC @ 10 V | 3V @ 250µA | 24 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | P-Channel | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 27 mOhm @ 8.4A, 10V | 3V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | 114W (Tc) | 114W (Tc) | - | 3.8W (Ta), 42W (Tc) |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5Ohm @ 1.7A, 10V | 2.5Ohm @ 1.7A, 10V | 8.4A (Ta), 32A (Tc) | 100mOhm @ 4.5A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | - | 60 V |
| Vgs（最大） | ±25V | ±25V | - | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | P-Channel |
FDD45AN06LAO MOSFairchild (onsemi)FDD5612 MOSFairchild (onsemi)FDD4N60NZonsemiMOSFET N-CH 600V 3.4A DPAKFDD4685_F085Fairchild/ON SemiconductorMOSFET P-CH 40V 32A DPAKFDD5614PonsemiMOSFET P-CH 60V 15A TO252
FDD4685-F085P MOSAMI Semiconductor/onsemiFDD4685-F085ONsemiFDD5202PFairchild (onsemi)FDD4685 MOSFairchild (onsemi)FDD5614Fairchild (onsemi)FDD5612Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDD4685onsemiMOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAKFDD45AN06LAOFairchild (onsemi)FDD5353onsemiMOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAKFDD4N60NZ MOSFairchild (onsemi)FDD5612onsemiMOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3FDD5353 MOSFairchild (onsemi)FDD4685-F085PONsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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