FDD8444Lの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDD8444L技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDD8444L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.2mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 153W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5530 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Ta), 50A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDD8444Lと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDD8444L | FDD8444L | FDD8447L | FDD8445-F085 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5530 pF @ 25 V | 5530 pF @ 25 V | 1970 pF @ 20 V | 4050 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 5 V | 60 nC @ 5 V | 52 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 153W (Tc) | 153W (Tc) | 3.1W (Ta), 44W (Tc) | 79W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.2mOhm @ 50A, 10V | 5.2mOhm @ 50A, 10V | 8.5mOhm @ 14A, 10V | 8.7mOhm @ 50A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Ta), 50A (Tc) | 16A (Ta), 50A (Tc) | 15.2A (Ta), 50A (Tc) | 70A (Tc) |
FDD8424HonsemiMOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
FDD8447L MOSFairchild (onsemi)FDD8444LonsemiMOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AAFDD8444-NLVBsemiFDD8447LonsemiMOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAKFDD8444L MOSFairchild (onsemi)FDD8445-F085onsemiMOSFET N-CH 40V 70A TO252AAFDD8445onsemiMOSFET N-CH 40V 70A TO252AAFDD8447L-F085onsemiMOSFET N-CH 40V 50A DPAKFDD8447LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDD8444 MOSFairchild (onsemi)FDD8426VBSEMIFDD8445 MOSFairchild (onsemi)FDD8444onsemiMOSFET N-CH 40V 145A TO252AAFDD8426H-F085AFairchild (onsemi)FDD8445Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FDD8442Fairchild (onsemi)
FDD8424H_F085onsemiMOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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