FQPF2N80YDTUの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FQPF2N80YDTU技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FQPF2N80YDTU仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 (Y-Forming) | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.3Ohm @ 750mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 550 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.5A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FQPF2N80YDTUと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQPF2N80YDTU | FQPF2P40 | FQPF30N06L | FQPF2N60C |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) | 28W (Tc) | 38W (Tc) | 23W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.5A (Tc) | 1.34A (Tc) | 22.5A (Tc) | 2A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 20 nC @ 5 V | 12 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 (Y-Forming) | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 550 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 1040 pF @ 25 V | 235 pF @ 25 V |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±20V | ±30V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | 400 V | 60 V | 600 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 5V, 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.3Ohm @ 750mA, 10V | 6.5Ohm @ 670mA, 10V | 35mOhm @ 11.3A, 10V | 4.7Ohm @ 1A, 10V |
FQPF2N60C MOSFairchild (onsemi)FQPF2P40onsemiMOSFET P-CH 400V 1.34A TO220FFQPF30N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 22.5A TO220FFQPF2N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FQPF2N60CTUFairchild (onsemi)FQPF2N70C MOSFairchild (onsemi)FQPF2N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 1.4A TO220FFQPF2N90onsemiMOSFET N-CH 900V 1.4A TO220FFQPF2N70CFairchild (onsemi)FQPF2N70Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 700V 2A TO220FFQPF2N70onsemiMOSFET N-CH 700V 2A TO220FFQPF2N80CFairchild (onsemi)FQPF30N06Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 21A TO220FFQPF2NA90onsemiMOSFET N-CH 900V 1.7A TO220FFQPF2NA90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 1.7A TO220FFQPF30N06onsemiMOSFET N-CH 60V 21A TO220F
FQPF2N80YDTUonsemiMOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3FQPF2N80onsemiMOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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