HUF76113SK8の技術仕様
Fairchild Semiconductor - HUF76113SK8技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - HUF76113SK8仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | US8 | |
| シリーズ | UltraFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 6.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 585 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.5A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor HUF76113SK8と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HUF76113SK8 | HUF76113T3ST | HUF76121D3S | HUF76121P3 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| パッケージ/ケース | 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) | TO-261-4, TO-261AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.5A (Ta) | 4.7A (Ta) | 20A (Tc) | 47A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21 nC @ 10 V | 20.5 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | US8 | SOT-223-4 | TO-252-3 (DPAK) | TO-220AB |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 585 pF @ 25 V | 625 pF @ 25 V | 850 pF @ 25 V | 850 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 1.1W (Ta) | 75W (Tc) | 75W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | UltraFET™ | - | - | UltraFET™ |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 6.5A, 10V | 31mOhm @ 4.7A, 10V | 23mOhm @ 20A, 10V | 21mOhm @ 47A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
HUF76107D3S MOSFairchild (onsemi)HUF76121D3S MOSFairchild (onsemi)HUF76113T3STFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETHUF76113DK8TFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETHUF76107DFairchild (onsemi)HUF76121D3SFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETHUF76121D3ST MOSFairchild (onsemi)HUF76121P3Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET
HUF76113DK8Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)HUF76107D3STFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETHUF76121P3 MOSFairchild (onsemi)
HUF76113SK8TIntersil (Renesas Electronics Corporation)HUF76121D3STFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETHUF76105SK8TFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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