NDS332Pの技術仕様
Fairchild Semiconductor - NDS332P技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - NDS332P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 300mOhm @ 1.1A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 195 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.7V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Ta) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor NDS332Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NDS332P | NDS0610_NL | NDS331N | NDS335N |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | 360mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 60 V | 20 V | 20 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 195 pF @ 10 V | 79 pF @ 25 V | 162 pF @ 10 V | 240 pF @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Ta) | 120mA (Ta) | 1.3A (Ta) | 1.7A (Ta) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.7V, 4.5V | 4.5V, 10V | 2.7V, 4.5V | 2.7V, 4.5V |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| パッケージ | Bulk | - | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5 nC @ 4.5 V | 2.5 nC @ 10 V | 5 nC @ 4.5 V | 9 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 300mOhm @ 1.1A, 4.5V | 10Ohm @ 500mA, 10V | 160mOhm @ 1.5A, 4.5V | 110mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Vgs（最大） | ±8V | ±20V | ±8V | 8V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 3.5V @ 1mA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
NDS331Fairchild (onsemi)NDS0610_NLonsemiMOSFET P-CH 60V 120MA SOT23-3NDS335N MOSFairchild (onsemi)NDS331NonsemiMOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
NDS305NAMI Semiconductor/onsemiNDS332P_NLFairchild (onsemi)NDS332NSNDS331N-NLFairchild (onsemi)NDS335NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3NDS332P MOSFairchild (onsemi)
NDS335N-NLGC ElectronicsNDS332PonsemiMOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3NDS0610-NLFairchild (onsemi)NDS335NonsemiMOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3NDS335N_NLFairchild (onsemi)NDS332P-NLFairchild (onsemi)NDS335Fairchild (onsemi)NDS0610-GonsemiFET -60V 10.0 MOHM SOT23| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。