画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
IRFP451 - Harris Corporation
- メーカー 部品型番
- IRFP451
- メーカー
- Harris Corporation
- Allelco 部品型番
- 32D-IRFP451
- ECADモデル
- モデルの説明
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-247-3
- データシート
IRFP451.pdf
- 在庫あり: 9387
IRFP451の技術仕様
Harris Corporation - IRFP451技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - IRFP451仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 7.9A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 180W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 450 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) |
右側の三つのパーツはHarris Corporation IRFP451と同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFP451 | IRFP450LCPBF | IRFP450PBF | IRFP450PBF |
| メーカー | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Box |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 7.9A, 10V | 400mOhm @ 8.4A, 10V | 400mOhm @ 8.4A, 10V | 400mOhm @ 8.4A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000 pF @ 25 V | 2200 pF @ 25 V | 2600 pF @ 25 V | 2600 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 450 V | 500 V | 500 V | 500 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) | 14A (Tc) | 14A (Tc) | 14A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±20V | ±20V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 電力消費（最大） | 180W (Tc) | 190W (Tc) | 190W (Tc) | 190W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 130 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IRFP450PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFP450LCPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 14A TO247-3IRFP450PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 14A TO247ACIRFP450NCHNIRFP450PBFVishayNCHAN, TO-247AC, 500V, 14A IRFP4
IRFP460STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 18.4A TO247-3IRFP460BVishayIRFP460APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3IRFP460Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3IRFP460BPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247ACIRFP460AVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
IRFP460IXYSMOSFET N-CH 500V 20A TO247ADIRFP450PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 14A TO247-3IRFP4568IRIRFP450ZIRIRFP450LCVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
IRFP4568PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 171A TO247ACIRFP450ZPBFElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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