IXFN100N10S1の技術仕様
IXYS - IXFN100N10S1技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFN100N10S1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 360W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFN100 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFN100N10S1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFN100N10S1 | IXFN100N65X2 | IXFK98N50P3 | IXFN100N10S2 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| シリーズ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Ultra X2 | HiPerFET™, Polar3™ | HiPerFET™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 650 V | 500 V | 100 V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180 nC @ 10 V | 183 nC @ 10 V | 197 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±20V |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-264-3, TO-264AA | SOT-227-4, miniBLOC |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | TO-264AA (IXFK) | SOT-227B |
| 電力消費（最大） | 360W (Tc) | 595W (Tc) | 1300W (Tc) | 360W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | 5V @ 4mA | 5V @ 8mA | 4V @ 4mA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | 10800 pF @ 25 V | 13100 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 500mA, 10V | 30mOhm @ 50A, 10V | 50mOhm @ 500mA, 10V | 15mOhm @ 500mA, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | IXFN100 | IXFN100 | IXFK98 | IXFN100 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) | 78A (Tc) | 98A (Tc) | 100A (Tc) |
IXFN100N10S1 - IXYSのIXFN100N10S1 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFN100N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 78A SOT227BIXFK98N50P3IXYSMOSFET N-CH 500V 98A TO264AAIXFN10050PIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN100N10S2IXYSMOSFET N-CH 100V 100A SOT-227BIXFN100N20IXYSMOSFET N-CH 200V 100A SOT-227BIXFK90N30IXYSMOSFET N-CH 300V 90A TO-264IXFN102N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 88A SOT227BIXFL34N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264IXFM6N90IXYS / LittelfuseIXFM6M100NOIGBT ModuleIXFN100N10S3IXYSMOSFET N-CH 100V 100A SOT-227BIXFN100N25IXYSMOSFET N-CH 250V 100A SOT-227BIXFN100N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 90A SOT-227BIXFN100N50Q3IXYSMOSFET N-CH 500V 82A SOT227BIXFN102N30IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFM40N30NOIGBT ModuleIXFL38N100Q2IXYSMOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264IXFK94N50P2IXYSMOSFET N-CH 500V 94A TO264AA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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