IXFN100N50Pの技術仕様
IXYS - IXFN100N50P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFN100N50P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 8mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 49mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1040W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 20000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFN100 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFN100N50Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFN100N50P | IXFN100N20 | IXFN120N20 | IXFN100N65X2 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 電力消費（最大） | 1040W (Tc) | 520W (Tc) | 600W (Tc) | 595W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 200 V | 200 V | 650 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 49mOhm @ 50A, 10V | 23mOhm @ 500mA, 10V | 17mOhm @ 500mA, 10V | 30mOhm @ 50A, 10V |
| 基本製品番号 | IXFN100 | IXFN100 | IXFN120 | IXFN100 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | 100A (Tc) | 120A (Tc) | 78A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 20000 pF @ 25 V | 9000 pF @ 25 V | 9100 pF @ 25 V | 10800 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 8mA | 4V @ 8mA | 4V @ 8mA | 5V @ 4mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Ultra X2 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | 380 nC @ 10 V | 360 nC @ 10 V | 183 nC @ 10 V |
IXFN100N50P - IXYSのIXFN100N50P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFN100N20IXYSMOSFET N-CH 200V 100A SOT-227BIXFN10050PIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN120N20IXYSMOSFET N-CH 200V 120A SOT-227BIXFN100N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 78A SOT227BIXFN110N60P3IXFN106N2070NOIGBT ModuleIXFM6M100NOIGBT ModuleIXFN102N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 88A SOT227BIXFM6N90IXYS / LittelfuseIXFN100N10S2IXYSMOSFET N-CH 100V 100A SOT-227BIXFN100N10S3IXYSMOSFET N-CH 100V 100A SOT-227BIXFN120N25IXYSMOSFET N-CH 250V 120A SOT-227BIXFN102N30IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFM40N30NOIGBT ModuleIXFN100N10S1IXYSMOSFET N-CH 100V 100A SOT-227BIXFN100N50Q3IXYSMOSFET N-CH 500V 82A SOT227BIXFN106N20IXYSMOSFET N-CH 200V 106A SOT-227BIXFN100N25IXYSMOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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