IXFT32N50の技術仕様
IXYS - IXFT32N50技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFT32N50仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268AA | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 360W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5700 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 32A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFT32 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはIXYS IXFT32N50と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFT32N50 | IXFT88N30P | IXFR66N50Q2 | IXFT44N50P |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 基本製品番号 | IXFT32 | IXFT88 | IXFR66 | IXFT44 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5700 pF @ 25 V | 6300 pF @ 25 V | 9125 pF @ 25 V | 5440 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | 5V @ 4mA | 5.5V @ 8mA | 5V @ 4mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 15A, 10V | 40mOhm @ 44A, 10V | 85mOhm @ 33A, 10V | 140mOhm @ 22A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-247-3 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 300 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V |
| シリーズ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±30V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268AA | TO-268AA | ISOPLUS247™ | TO-268AA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 32A (Tc) | 88A (Tc) | 50A (Tc) | 44A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 360W (Tc) | 600W (Tc) | 500W (Tc) | 658W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 300 V | 500 V | 500 V |
IXFT32N50 - IXYSのIXFT32N50 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFT12N50FIXYS / LittelfuseIXFT88N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 88A TO268IXFR66N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247IXFT44N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 44A TO268IXFT140N10PTRLIXYS / LittelfuseIXFT60N50P3IXYSMOSFET N-CH 500V 60A TO268IXFT30N50IXYSMOSFET N-CH 500V 30A TO268IXFT50N60P3-TRLIXYSMOSFET N-CH 600V 50A TO268IXFT32N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 32A TO268IXFT94N30P3IXYSMOSFET N-CH 300V 94A TO268IXFV22N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 22A PLUS220IXFT52N30QIXYSMOSFET N-CH 300V 52A TO268IXFT140N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 140A TO268IXFR70N15IXYSMOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247IXFT26N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 26A TO268IXFT58N20QIXYSMOSFET N-CH 200V 58A TO268IXFT12N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 12A TO268IXFR90N30IXYSMOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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