IXTK102N30Pの技術仕様
IXYS - IXTK102N30P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTK102N30P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 500µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 (IXTK) | |
| シリーズ | Polar | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 33mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 700W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 224 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 102A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTK102 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTK102N30Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTK102N30P | IXTK120N25 | IXTK128N15 | IXTH80N20L |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7500 pF @ 25 V | 7700 pF @ 25 V | 6000 pF @ 25 V | 6160 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-247-3 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 (IXTK) | TO-264 (IXTK) | TO-264 (IXTK) | TO-247 (IXTH) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 102A (Tc) | 120A (Tc) | 128A (Tc) | 80A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 33mOhm @ 500mA, 10V | 20mOhm @ 500mA, 10V | 15mOhm @ 500mA, 10V | 32mOhm @ 40A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 700W (Tc) | 730W (Tc) | 540W (Tc) | 520W (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | 250 V | 150 V | 200 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | Polar | MegaMOS™ | MegaMOS™ | Linear |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 224 nC @ 10 V | 360 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | IXTK102 | IXTK120 | IXTK128 | IXTH80 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 500µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
IXTK102N30P - IXYSのIXTK102N30P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTK120N25IXYSMOSFET N-CH 250V 120A TO264IXTK128N15IXYSMOSFET N-CH 150V 128A TO264IXTH80N20LIXYSMOSFET N-CH 200V 80A TO247IXTK170N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 170A TO264IXTH96N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 96A TO247IXTK17N120LIXYSMOSFET N-CH 1200V 17A TO264IXTH86N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 86A TO247IXTK140N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 140A TO264IXTK120N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 120A TO264IXTH80N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 80A TO247IXTH90N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 90A TO247IXTK120N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 120A TO264IXTK160N20IXYSMOSFET N-CH 200V 160A TO264IXTK100N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 100A TO264IXTH88N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 88A TO247IXTH88N15IXYSMOSFET N-CH 150V 88A TO247IXTH96N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 96A TO247IXTK110N20L2IXYSMOSFET N-CH 200V 110A TO264| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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